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BSM300GA120DLC

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BSM300GA120DLC參數信息
參數參數值
制造商
Infineon
產品種類
IGBT 模塊
RoHS
否
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.6 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
570 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封裝 / 箱體
62 mm
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
36.5 mm
長度
106.4 mm
寬度
61.4 mm
商標
Infineon Technologies
安裝風格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產品類型
IGBT Modules
工廠包裝數量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
BSM300GA120DLCHOSA1 SP000100731
商品詳情
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 否
商標: Infineon Technologies
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.6 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 570 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: 62 mm
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
Pd-功率耗散: 2250 W
工廠包裝數量: 10

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