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BSM400GA120DN2

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BSM400GA120DN2參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
否
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
550 A
Pd-功率耗散
2.7 kW
封裝 / 箱體
62 mm
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
36.5 mm
長度
106.4 mm
寬度
61.4 mm
商標
Infineon Technologies
安裝風格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
BSM400GA120DN2HOSA1 SP000100728
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 否
商標: Infineon Technologies
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 550 A
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: 62 mm
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
Pd-功率耗散: 2700 W
工廠包裝數(shù)量: 10

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