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BSM75GB170DN2

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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經營品牌：HiSilicon Semtech
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BSM75GB170DN2數據手冊
BSM75GB170DN2參數信息
參數參數值
封裝/外殼：
AG-34MM-1
RoHS compliant：
yes
Packing Type：
TRAY
Configuration：
Dual
Dimensions (length)：
94.0mm
Housing：
34 mm
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)：
3.4V
IC(nom) / IF(nom)：
75.0A
Dimensions (width)：
34.0mm
VF (Tvj=25°C typ)：
2.3V
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 110 A
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: 34MM
封裝: Bulk
商標: Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 10

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