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FP40R12KE3

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FP40R12KE3參數信息
參數參數值
制造商
Infineon
產品種類
IGBT 模塊
RoHS
是
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
55 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
200 W
封裝 / 箱體
EconoPIM2
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長度
107.5 mm
寬度
45 mm
商標
Infineon Technologies
安裝風格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產品類型
IGBT Modules
工廠包裝數量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
FP40R12KE3BOSA1 SP000083565
單位重量
180 g
商品詳情
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
商標: Infineon Technologies
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.3 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 55 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: EconoPIM2
封裝: Tray
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
Pd-功率耗散: 200 W
工廠包裝數量: 10

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