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電源模塊

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FZ1800R16KF4

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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 經(jīng)營品牌：HiSilicon Semtech
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  • 聯(lián)系電話：0755-82796668
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  • 地　　址：深圳市福田區(qū)新洲南文化創(chuàng)意園A座513
推薦的產(chǎn)品
暫無推薦產(chǎn)品信息
FZ1800R16KF4參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品種類：
IGBT 模塊
產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Triple Common Emitter Common Gate
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：
1600 V
集電極—射極飽和電壓：
3.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：
1800 A
柵極—射極漏泄電流：
600 nA
功率耗散：
11 kW
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝 / 箱體：
IHM190
商標(biāo)：
Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓：
+/- 20 V
最小工作溫度：
- 40 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
工廠包裝數(shù)量：
8
ROHS：
含鉛
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 否
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Triple Common Emitter Common Gate
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1600 V
集電極—射極飽和電壓: 3.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 1800 A
柵極—射極漏泄電流: 600 nA
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: IHM190
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 11 kW
工廠包裝數(shù)量: 1

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