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MGSF1N02LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET MOSFET

  • MGSF1N02LT1G請?jiān)儍r(jià)2025-06-11 05:00
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深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Altera Maxim ST Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：陳
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83238360
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13603072128
  • 地　　址：華強(qiáng)北路新華強(qiáng)廣場B座27D
MGSF1N02LT1G數(shù)據(jù)手冊
MGSF1N02LT1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
750 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
90 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
6000 pC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
0.94 mm
長度
2.9 mm
產(chǎn)品
MOSFET Small Signal
系列
MGSF1N02L
晶體管類型
1 N-Channel
類型
MOSFET
寬度
1.3 mm
商標(biāo)
ON Semiconductor
下降時(shí)間
8 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
1 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
16 ns
典型接通延遲時(shí)間
2.5 ns
單位重量
8 mg
商品詳情

制造商
ON Semiconductor
制造商零件編號(hào)
MGSF1N02LT1G
描述
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-750mA（Ta）-400mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 750mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;">

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