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其它集成電路

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IRF8788TRPBF Infineon MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • IRF8788TRPBF請詢價2025-06-15 05:10
  • SOP8
  • 1
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深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

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    10

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IRF8788TRPBF數據手冊
IRF8788TRPBF參數信息
參數參數值
封裝/外殼:
SO8
FET 類型:
N 溝道
技術:
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):
24A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):
2.8 毫歐 @ 24A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):
2.35V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
66nC @ 4.5V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):
5720pF @ 15V
功率耗散(最大值):
2.5W(Ta)
工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:
表面貼裝
系列:
HEXFET?
FET類型:
N 溝道
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):
24A(Ta)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):
4.5V,10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值):
2.35V @ 100μA
不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
66nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):
5720pF @ 15V
不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):
2.8 毫歐 @ 24A,10V
封裝形式Package:
SOIC
極性Polarity:
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:
30V
連續(xù)漏極電流ID:
24A
供應商器件封裝:
8-SO
無鉛情況/RoHs:
無鉛/符合RoHs
商品詳情

制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRF8788TRPBF
描述
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-30V-24A(Ta)-2.5W(Ta)-8-SO
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 24A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds _disibledevent="font-size:14px;"> 本公司從事于電子行業(yè)多年來,以“誠實守信、質量第一、價格合理、交貨快捷”為宗旨,秉承著“實力雄厚,資源充足,庫存真實”的優(yōu)勢,憑著良好的信譽和服務態(tài)度博得眾多客戶的信賴與支持!本公司愿與各界朋友攜手合作,互惠互利,共創(chuàng)未來!

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