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晶體二極管

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NSV60600MZ4T3G

  • NSV60600MZ4T3G請?jiān)儍r(jià)2025-05-25 05:24
  • onsemi
  • 1
  • 28000
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供應(yīng)商信息

深圳市盛江半導(dǎo)體有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    7

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Microchip ON ST
  • 聯(lián)　系人：張先生，吳小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：13728921917
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：15807359825
  • 地　　址：華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)賽格科技園4棟6層A-軸與17-21A27A
NSV60600MZ4T3G數(shù)據(jù)手冊
NSV60600MZ4T3G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS
是
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-223-4
晶體管極性
PNP
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO
- 100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
- 50 mV
最大直流電集電極電流
- 12 A
增益帶寬產(chǎn)品fT
100 MHz
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
系列
NSS60600
直流電流增益 hFE 最大值
360
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
商標(biāo)
ON Semiconductor
集電極連續(xù)電流
- 6 A
直流集電極/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
710 mW
產(chǎn)品類型
BJTs - Bipolar Transistors
資格
AEC-Q101
工廠包裝數(shù)量
4000
子類別
Transistors
單位重量
110 mg
商品詳情
雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)

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