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晶體三極管

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晶體管 IPB108N15N3G TO263-3 22+ INFINEON 原裝正品現貨 可開增值稅發(fā)票

  • IPB108N15N3G02025-06-10 05:45
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深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質:

    11

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經營品牌:ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯 系人:蔡經理,張小姐
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  • 手  機:13378422395,19129491930
  • 地  址:深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室
IPB108N15N3G數據手冊
IPB108N15N3G參數信息
參數參數值
制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
RoHS
詳細信息
商標
Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流
8 1347 3 A
Vds-漏源極擊穿電壓
150 V
Rds On-漏源導通電阻
10.8 mOhms
晶體管極性
N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓
20 V
Qg-柵極電荷
41 nC
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
D2PAK-3
封裝
Reel
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降時間
9 ns
正向跨導 - 最小值
94 S
最小工作溫度
- 55 C
上升時間
35 ns
系列
OptiMOS 3
工廠包裝數量
1000
商標名
OptiMOS
典型關閉延遲時間
32 ns
典型接通延遲時間
17 ns
零件號別名
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862
商品詳情

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon 
產品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
技術: Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: TO-263-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 83 A 
Rds On-漏源導通電阻: 10.8 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V 
Qg-柵極電荷: 41 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 214 W 
通道模式: Enhancement 
商標名: OptiMOS 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降時間: 9 ns 
正向跨導 - 最小值: 94 S 
高度: 4.4 mm 
長度: 10 mm 
產品類型: MOSFET 
上升時間: 35 ns 
系列: OptiMOS 3 
1000 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
典型關閉延遲時間: 32 ns 
典型接通延遲時間: 17 ns 
寬度: 9.25 mm 
零件號別名: SP000677862 IPB18N15N3GXT IPB108N15N3GATMA1 
單位重量: 4 g

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