MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: ? 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 31 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 7 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
系列: Mdmesh M5
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
類(lèi)型: Power MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
單位重量: 330 mg