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晶體二極管

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SI7450DP-T1-E3 VISHAY/威世 21+ QFN8 原裝正品現(xiàn)貨 可開發(fā)票

  • SI7450DP-T1-E302025-06-03 05:58
  • VISHAY/威世
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供應商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室
SI7450DP-T1-E3數(shù)據(jù)手冊
SI7450DP-T1-E3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
系列：
SI
單位重量：
506.600 mg
零件號別名：
SI7450DP-E3
商標名：
TrenchFET
FET類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
3.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
6V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
42nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
1.9W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
80 毫歐 @ 4A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK?SO-8
封裝形式Package：
SOIC-8
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
200V
連續(xù)漏極電流ID：
5.3A
漏源極導通電阻RDS(ON)：
80mOhms
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情

產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
技術(shù): Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 5.3 A 
Rds On-漏源導通電阻: 80 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V 
Qg-柵極電荷: 42 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 5.2 W 
通道模式: Enhancement 
商標名: TrenchFET 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: Vishay Semiconductors 
配置: Single 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
系列: SI7 
3000 
子類別: MOSFETs 
零件號別名: SI7450DP-E3 
單位重量: 506.600 mg

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