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晶體二極管

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SI4431CDY-T1-E3 VISHAY/威世 21+ SOP8 原裝正品現(xiàn)貨 可開發(fā)票 一站式配單

  • SI4431CDY-T1-E312025-05-11 05:34
  • VISHAY/威世
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室
SI4431CDY-T1-E3數(shù)據(jù)手冊
SI4431CDY-T1-E3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
系列：
TrenchFET?
FET類型：
P 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
2.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
38nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1006pF @ 15V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
2.5W（Ta），4.2W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
32 毫歐 @ 7A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
封裝形式Package：
SOIC-8
極性Polarity：
P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
30V
連續(xù)漏極電流ID：
7A
漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：
32mOhms
無鉛情況/RoHs：
否
商品詳情

產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: SOIC-8 
晶體管極性: P-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V 
Qg-柵極電荷: 38 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 4.2 W 
通道模式: Enhancement 
商標(biāo)名: TrenchFET 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標(biāo): Vishay / Siliconix 
配置: Single 
高度: 1.75 mm 
長度: 4.9 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
系列: SI4 
2500 
子類別: MOSFETs 
寬度: 3.9 mm 
零件號別名: SI4431CDY-E3 
單位重量: 187 mg

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