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SVD2955T4G ON 品牌MOS管 南京捷特克電子

  • SVD2955T4G請詢價2025-05-24 05:16
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南京捷特克電子科技有限公司

  • 會員資質：

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    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián)　系人：王小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：15380434323
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：15380434323
  • 地　　址：南京研創(chuàng)園團結路99號孵鷹大廈A座321-B1室
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SVD2955T4G數(shù)據(jù)手冊
SVD2955T4G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
FET類型：
P 溝道
技術：
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：
60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
12A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
30nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
750pF @ 25V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
55W（Tj）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
180 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
30nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
750pF @ 25V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
180 毫歐 @ 6A，10V
FET 類型：
P 溝道
漏源極電壓（Vdss）：
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
12A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250μA
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-4
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 351 mg

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