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OSFET Power MOSFET -60V, -12A, 180 mOhm, Single P-Channel, D

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南京捷特克電子科技有限公司

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NVD2955T4G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3
晶體管極性
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
155 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
15 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
資格
AEC-Q101
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
系列
NTD2955
商標
ON Semiconductor
下降時間
48 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
45 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
26 ns
典型接通延遲時間
10 ns
單位重量
4 g
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 330 mg
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