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耗盡型MOS管(N溝道)

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IRFB4110PBF Infineon(英飛凌) TO-220 50片/管 全新原裝支持檢測(cè)

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深圳市澤騰科技有限公司

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  • 聯(lián)系電話:13352984345,,17688968843
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IRFB4110PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源:
IRFB4110PBF Saber Model IRFB4110PBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
50
類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:
FET - 單
系列:
HEXFET®
包裝:
管件
FET 類型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:
邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):
120A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):
4.5 毫歐 @ 75A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):
210nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):
9620pF @ 50V
功率 - 最大值:
370W
安裝類型:
通孔
封裝/外殼:
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
商品詳情

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