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耗盡型MOS管(N溝道)

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IRFB4115PBF Infineon(英飛凌) TO-220 全新原標原簽 支持檢測

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深圳市澤騰科技有限公司

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IRFB4115PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
150 V
Id-連續(xù)漏極電流
104 A
Rds On-漏源導通電阻
9.3 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
5 V
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
77 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
380 W
配置
Single
封裝
Tube
高度
15.65 mm
長度
10 mm
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
4.4 mm
商標
Infineon / IR
正向跨導 - 最小值
97 S
下降時間
39 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
73 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
41 ns
典型接通延遲時間
18 ns
零件號別名
SP001565902
單位重量
6 g
商品詳情

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