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耗盡型MOS管(N溝道)

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IRF3710PBF Infineon(英飛凌) TO-220 原標原簽原盒支持檢測 添加咨詢有時候QQ微信沒反應(yīng)

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供應(yīng)商信息

深圳市澤騰科技有限公司

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    6

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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
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  • 聯(lián)　系人：曹，林
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  • 聯(lián)系電話：13352984345,,17688968843
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IRF3710PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計資源：
IRF3710PBF Saber Model IRF3710PBF Spice Model
標準包裝：
50
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
HEXFET®
包裝：
管件
FET 類型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：
標準
漏源極電壓（Vdss）：
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
57A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
23 毫歐 @ 28A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
130nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
3130pF @ 25V
功率 - 最大值：
200W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
其它名稱：
*IRF3710PBF
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