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其它集成電路

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VISHAY/威世 SI4966DY-T1-E3 晶體管 封裝SOP8 全新原裝 價格優(yōu)勢

  • SI4966DY-T1-E302025-06-12 05:27
  • VISHAY/威世
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室
SI4966DY-T1-E3數(shù)據(jù)手冊
SI4966DY-T1-E3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
2,500
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 陣列
系列：
TrenchFET®
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
25 毫歐 @ 7.1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
50nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
-
功率 - 最大值：
2W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
其它名稱：
SI4966DY-T1-E3-NDSI4966DY-T1-E3TRSI4966DYT1E3
商品詳情
制造商: Vishay 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: SOIC-8 
商標(biāo)名: TrenchFET 
系列: SI4 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
商標(biāo): Vishay / Siliconix 
高度: 1.75 mm 
長度: 4.9 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
2500 
子類別: MOSFETs 
寬度: 3.9 mm 
零件號別名: SI4966DY-E3 
單位重量: 187 mg

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