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PSMN005-30K數(shù)據(jù)手冊

PSMN005-30K參數(shù)信息

參數(shù)	參數(shù)值
制造商	NXP
產(chǎn)品種類	MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流	20 A
Vds-漏源極擊穿電壓	30 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻	5.5 mOhms
晶體管極性	N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓	20 V
最大工作溫度	+ 150 C
Pd-功率耗散	3.5 W 1000
安裝風(fēng)格	SMD/SMT
封裝 / 箱體	SO-8
商標(biāo)	NXP Semiconductors
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
下降時(shí)間	45 ns
最小工作溫度	- 55 C
上升時(shí)間	16 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間	65 ns
典型接通延遲時(shí)間	18 ns

商品詳情

制造商:	NXP
產(chǎn)品種類:	MOSFET
技術(shù):	Si
安裝風(fēng)格:	SMD/SMT
封裝 / 箱體:	SOIC-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數(shù)量:	1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:	30 V
Id-連續(xù)漏極電流:	20 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 506.600 mg

型號索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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