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SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipF

  • SI5935CDC-T1-GE3請?jiān)儍r(jià)2025-05-12 05:04
  • VISHAY
  • 1
  • 60000個(gè)
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供應(yīng)商信息

奮鈞智能（深圳）科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    6

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon NXP ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：王小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-83229740/075528711709
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：15773539469
  • 地　　址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLD一期A座1306
SI5935CDC-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊
SI5935CDC-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
ChipFET-8
通道數(shù)量
2 Channel
晶體管極性
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
20 V
Id-連續(xù)漏極電流
4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
100 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓
8 V
Qg-柵極電荷
11 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
TrenchFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1.1 mm
長度
3.05 mm
系列
SI54
晶體管類型
2 P-Channel
寬度
1.65 mm
商標(biāo)
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
9.5 S
下降時(shí)間
6 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
32 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
25 ns
典型接通延遲時(shí)間
10 ns
零件號(hào)別名
SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3
單位重量
85 mg
商品詳情

介紹
采用無引線1206-8封裝的新型Vishay Siliconix chipfet具有與流行的1206-8電阻器和電容器相同的外形，但提供真正功率半導(dǎo)體器件的所有性能。1206-8 ChipFET具有與LITTLE FOOT TSOP-6的主體相同的足跡，并且可以被認(rèn)為是用于可視化電路板面積的無引線TSOP-6，但其熱性能與更大的SO-8進(jìn)行比較。

詳情咨詢或產(chǎn)品訂購請聯(lián)系電話：15773539469（王小姐），期待與您合作！

 

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