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晶體三極管

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MUN5233DW1T1G 封裝SOT363 絲印7K 2個NPN數(shù)字晶體管

  • MUN5233DW1T1G請詢價2025-04-22 05:15
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供應(yīng)商信息

深圳市鴻錦熙貿(mào)易有限公司

  • 會員資質(zhì):

    5

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián) 系人:朱芳儀
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機:18123863116,18123868661
  • 地  址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場D座5層Q5C028號
MUN5233DW1T1G數(shù)據(jù)手冊
MUN5233DW1T1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
雙極晶體管 - 預(yù)偏置
RoHS
配置
Dual
晶體管極性
NPN
典型輸入電阻器
4.7 kOhms
典型電阻器比率
0.1
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-363-6
直流集電極/Base Gain hfe Min
80
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續(xù)電流
0.1 A
峰值直流集電極電流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
系列
MUN5233DW1
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
直流電流增益 hFE 最大值
80 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
長度
2 mm
寬度
1.25 mm
商標
ON Semiconductor
產(chǎn)品類型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
Transistors
單位重量
7.500 mg
商品詳情

型號:MUN5233DW1T1G

 

封裝:SOT363

 

絲印:7K

 

晶體管極性:2個NPN
最大集電極電流(Icm):100mA
集射極擊穿電壓(VCEO):50V
最大耗散功率:187 mW
工作溫度范圍:- 55 C+ 150 C
應(yīng)用領(lǐng)域:3C數(shù)碼
交易說明:原裝現(xiàn)貨,支持拿樣,歡迎議價!

 

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