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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

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2N7002NT PDF資料
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  • 制造商:LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]
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  • PDF文件頁數(shù):共3頁
  • 描述:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
2N7002NXAKR技術規(guī)格
  • 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)190mA(Ta),300mA(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)4.5 歐姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)430pC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)20pF @ 10V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)265mW(Ta),1.33W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝TO-236AB
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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