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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市微碧半導體有限公司

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  • VBSEMI/微碧半導體　
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  • 制造商：PANJIT[Pan Jit International Inc.]
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  • PDF文件頁數(shù)：共7頁
  • 描述：60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
2N7002K-AU_R1_000A1技術(shù)規(guī)格
  • 技術(shù)Si
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 晶體管極性N-Channel
  • 通道數(shù)量1 Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓60 V
  • Id-連續(xù)漏極電流300 mA
  • Rds On-漏源導通電阻4 Ohms
  • Vgs - 柵極-源極電壓- 20 V, + 20 V
  • Vgs th-柵源極閾值電壓2.5 V
  • Qg-柵極電荷800 pC
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • Pd-功率耗散500 mW
  • 通道模式Enhancement
  • 資格AEC-Q101
  • 封裝Reel
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