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2N7002K-T1-E3 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
  • PDF文件大?。?19.28 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7002K-T1-E3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Vishay
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-23-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:300 mA
  • Rds On-漏源導通電阻:2 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
  • Qg-柵極電荷:0.6 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:350 mW
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.45 mm
  • 長度:2.9 mm
  • 系列:2N7002K
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:1.6 mm
  • 商標:Vishay / Siliconix
  • 正向跨導 - 最小值:100 mS
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
  • 典型接通延遲時間:25 ns
  • 零件號別名:2N7002K-E3
  • 單位重量:8 mg
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