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2SA1962RTU PDF資料
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  • 制造商:FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
  • PDF文件大?。?06.12 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
  • 描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
2SA1962RTU技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
  • RoHS:
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-3P-3
  • 晶體管極性:PNP
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:230 V
  • 集電極—基極電壓 VCBO:230 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
  • 最大直流電集電極電流:17 A
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:30 MHz
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 系列:2SA1962
  • 高度:19.9 mm
  • 長(zhǎng)度:15.6 mm
  • 封裝:Tube
  • 寬度:4.8 mm
  • 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
  • 集電極連續(xù)電流:15 A
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min:55 at 1 A, 5 V
  • Pd-功率耗散:130000 mW
  • 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:450
  • 子類別:Transistors
  • 單位重量:6.401 g
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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