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2SC5585_11 PDF資料
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  • 制造商:SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
  • PDF文件大?。?04.74 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共2頁(yè)
  • 描述:NPN Silicon General Purpose Transistor
2SC5585TL技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
  • RoHS:
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-416-3
  • 晶體管極性:NPN
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V
  • 集電極—基極電壓 VCBO:15 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
  • 最大直流電集電極電流:0.5 A
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:320 MHz
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 系列:2SC5585
  • 直流電流增益 hFE 最大值:680
  • 高度:0.7 mm
  • 長(zhǎng)度:1.6 mm
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 寬度:0.8 mm
  • 商標(biāo):ROHM Semiconductor
  • 集電極連續(xù)電流:500 mA
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min:270
  • Pd-功率耗散:150 mW
  • 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:Transistors
  • 零件號(hào)別名:2SC5585
  • 單位重量:6 mg
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