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  • 描述:SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC5881TLQ技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)5A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)400mV @ 300mA,3A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)120 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換160MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝CPT3
  • 包裝帶卷 (TR)
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