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  • 描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SD1001-T1-AZ技術規(guī)格
  • 集電極電流(DC ):0.3 A
  • 集電極 - 基極電壓:80 V
  • 集電極 - 發(fā)射極電壓:80 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓:5 V
  • 頻率:140 MHz
  • 功率耗散:2 W
  • 安裝:Surface Mount
  • 包裝類型:SOT-89
  • 封裝:Tape and Reel
  • 引腳數:3 +Tab
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