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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    AGR0246P

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

    8年

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  • AdvancedSemiconductor,Inc.　
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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15年

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  • AdvancedSemiconductor,Inc.　
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  • 2021+　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • AGR09030EF
  • Advanced Semiconductor, Inc.　
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AGR09030E PDF資料
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  • 制造商：TRIQUINT[TriQuint Semiconductor]
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  • PDF文件頁數(shù)：共7頁
  • 描述：30 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09030EF技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
  • 產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
  • RoHS:是
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 技術(shù):Si
  • Id-連續(xù)漏極電流:4.25 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
  • 最小工作溫度:- 65 C
  • 最大工作溫度:+ 200 C
  • 封裝:Tray
  • 配置:Single
  • 工作頻率:895 MHz
  • 類型:RF Power MOSFET
  • 商標(biāo):Advanced Semiconductor, Inc.
  • Pd-功率耗散:80 W
  • 產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
  • 子類別:MOSFETs
  • Vgs - 柵極-源極電壓:15 V
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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