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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

    8年

    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區(qū)中航路都會軒240611012658

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  • 原裝現(xiàn)貨庫存，接受訂貨，可開13%增值稅發(fā)票　

  • 集好芯城

    17年

    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號漢國中心55樓11010804

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  • 深圳市百域芯科技有限公司

    11年

    0755-8278806218126442734梁小姐0755-82788062世紀匯都會軒450711012940

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

    1351015762613510157626柯小姐深圳市福田區(qū)中航路新亞洲2期N4A13101017253

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  • 現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

    10年

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田區(qū)八卦三路八卦嶺工業(yè)區(qū)424棟4樓410房11011909

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

    0755-2399097517318082080，13510287235肖瑤，樹平航都大廈10I11012384

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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AUIRF9Z34N PDF資料
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  • 制造商：IRF[International Rectifier]
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  • PDF文件頁數(shù)：共11頁
  • 描述：AUTOMOTIVE GRADE Advanced Planar Technology
AUIRF9Z34N技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼：TO220
  • RoHS：Y
  • 技術(shù)：Si
  • 安裝風(fēng)格：ThroughHole
  • 通道數(shù)量：1Channel
  • 晶體管極性：P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓：55V
  • Id-連續(xù)漏極電流：19A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：100mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓：20V
  • Qg-柵極電荷：23.3nC
  • 最小工作溫度：-55C
  • 配置：Single
  • Pd-功率耗散：68W
  • 通道模式：Enhancement
  • 資格：AEC-Q101
  • 封裝：Tube
  • 高度：15.65mm
  • 長度：10mm
  • 晶體管類型：1P-Channel
  • 寬度：4.4mm
  • 下降時間：41ns
  • MXHTS：85412999
  • 上升時間：55ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間：30ns
  • 典型接通延遲時間：13ns
  • 通道類型：P
  • 最大連續(xù)漏極電流：19 A
  • 最大漏源電壓：55 V
  • 最大漏源電阻值：100 m0hms
  • 最大柵閾值電壓：4V
  • 最小柵閾值電壓：2V
  • 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
  • 封裝類型：TO-220AB
  • 安裝類型：通孔
  • 晶體管配置：單
  • 引腳數(shù)目：3
  • 通道模式：增強
  • 類別：功率 MOSFET
  • 最大功率耗散：68 W
  • 最高工作溫度：+175 °C
  • 長度：10.66mm
  • 系列：HEXFET
  • 典型柵極電荷@Vgs：35 nC @ 10 V
  • 最低工作溫度：-55 °C
  • 高度：16.51mm
  • 寬度：4.82mm
  • 每片芯片元件數(shù)目：1
  • 晶體管材料：Si
  • 典型輸入電容值@Vds：620 pF @ -25 V
  • 典型關(guān)斷延遲時間：30 ns
  • 典型接通延遲時間：13 ns
  • 尺寸：10.66 x 4.82 x 16.51mm
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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