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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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AUIRFS3107-7P PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?39.25 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共12頁
- 描述：HEXFETPower MOSFET
AUIRFS3107-7P技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：D2PAK7P
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：75V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：240A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 毫歐 @ 160A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：240nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9200pF @ 50V
- 功率耗散（最大值）：370W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK（7-Lead）
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：240 A，260 A
- 最大漏源電壓：75 V
- 最大漏源電阻值：2.6 m0hms
- 最大柵閾值電壓：4V
- 最小柵閾值電壓：2V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：D2PAK (TO-263)
- 引腳數(shù)目：7
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：370 W
- 高度：4.83mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
- 寬度：9.65mm
- 系列：HEXFET
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：160 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：9200 pF @ 50 V
- 典型關(guān)斷延遲時間：100 ns
- 典型接通延遲時間：17 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 長度：10.67mm
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：N-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：260A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.5mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：4V
- Vgs - 柵極-源極電壓：20V
- Qg-柵極電荷：160nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+175C
- 配置：SingleQuintSource
- Pd-功率耗散：370W
- 通道模式：Enhancement
- 資格：AEC-Q101
- 封裝：Tube
- 高度：4.4mm
- 長度：10mm
- 晶體管類型：1N-Channel
- 寬度：9.25mm
- 正向跨導(dǎo) - 最小值：260S
- 下降時間：64ns
- 上升時間：80ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：100ns
- 典型接通延遲時間：17ns
- Vds-漏源極擊穿電壓：75V
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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