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AUIRFS8403 PDF資料
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  • PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
  • 描述:Advanced Process Technology New Ultra Low On-Resistance
AUIRFS8403技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼:D2PAK
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):123A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 70A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):93nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3183pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):99W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
  • 通道類型:N
  • 最大連續(xù)漏極電流:123 A
  • 最大漏源電壓:40 V
  • 最大漏源電阻值:3.3 m0hms
  • 最大柵閾值電壓:3.9V
  • 最小柵閾值電壓:2.2V
  • 最大柵源電壓:-20 V、+20 V
  • 封裝類型:D2PAK (TO-263)
  • 晶體管配置:
  • 引腳數(shù)目:3
  • 通道模式:增強(qiáng)
  • 類別:功率 MOSFET
  • 最大功率耗散:99 W
  • 典型接通延遲時(shí)間:10 ns
  • 典型關(guān)斷延遲時(shí)間:26 ns
  • 典型輸入電容值@Vds:3183 pF@ 25 V
  • 典型柵極電荷@Vgs:62 nC @ 10 V
  • 晶體管材料:Si
  • 系列:COOLiRFET
  • 寬度:9.65mm
  • 最低工作溫度:-55 °C
  • 最高工作溫度:+175 °C
  • 長(zhǎng)度:10.67mm
  • 高度:4.83mm
  • 尺寸:10.67 x 9.65 x 4.83mm
  • 每片芯片元件數(shù)目:1
  • 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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