�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BAS19LT1G PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF�������110.37 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����6�(y��)
- ������High Voltage Switching Diode
BAS19LT1G���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ON Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):���O�� - ͨ�����������_(k��i)�P(gu��n)
- RoHS:��
- �a(ch��n)Ʒ:Switching Diodes
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-23-3
- ��ֵ����늉�:120 V
- �����ӿ���:0.625 A
- If - �������:200 mA
- ����:Single
- �֏�(f��)�r(sh��)�g:50 ns
- Vf - ����늉�:1.25 V
- Ir - ������� :0.1 uA
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:BAS19L
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:0.94 mm
- �L(zh��ng)��:2.9 mm
- �(l��i)��:Switching Diode
- ����:1.3 mm
- �̘�(bi��o):ON Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:Diodes - General Purpose, Power, Switching
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ���(l��i)�e:Diodes & Rectifiers
- �����:8 mg
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BAS19LT1G���P(gu��n)��̖(h��o)