�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
BAS2103WE6433HTMA1
- Infineon Technologies��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-


BAS2103WE6433HTMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������116.47 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����9�
- ���������O�� - ͨ�����������_�P(gu��n) Silicon Switch Diode
BAS2103WE6433HTMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���O����ͣ���(bi��o)��(zh��n)
- 늉� - DC ����Vr�������ֵ����200V
- ��� - ƽ��������Io����250mA��DC��
- ��ͬ If �r(sh��)��늉� - ����Vf��1.25V
- ����������늉� - ����Vf�������ֵ��@ If��200mA
- �ٶȣ����ٻ֏�(f��) =< 500 ns��> 200mA��Io��
- ����֏�(f��)�r(sh��)�g��trr����50ns
- ��ͬ?Vr �r(sh��)����� - ����©�����100nA
- 늉����������� - ����й© @ Vr��200V
- ��ͬ?Vr��F(xi��n) �r(sh��)����ݣ�5pF @ 0V��1MHz
- ���b��ͣ������N�b
- ���b/�⚤��SOD323
- ����(y��ng)���������b��PG-SOD323-2
- �����ض� - �Y(ji��)��150��C�����
- ����B�m(x��)���������250mA
- ���O�����ã���·
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- ��������ͣ��ГQ
- ��ֵ�����؏�(f��)늉���250V
- ���b��ͣ�SOD-323
- ���_��(sh��)Ŀ��2
- �������늉�����1.25V
- �L�ȣ�1.7mm
- ���ȣ�1.25mm
- �߶ȣ�0.9mm
- ��ֵ����؏�(f��)�r(sh��)�g��50ns
- ���ʺ�ɢ��350mW
- ��߹����ضȣ�+150 ��C
- �ߴ磺1.7 x 1.25 x 0.9mm
- ��ֵ���������100��A
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BAS2103WE6433HTMA1���P(gu��n)��̖