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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BC846BPDW1T1G PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?72.75 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共17頁
- 描述:Dual General Purpose Transistors
BC846BPDW1T1G技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型:NPN,PNP
- 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
- 不同?Ib,Ic時的?Vce飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
- 電流-集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
- 不同?Ic,Vce?時的DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
- 功率-最大值:380mW
- 頻率-躍遷:100MHz
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-88/SC70-6/SOT-363
- 封裝形式Package:SOT-363
- 極性Polarity:NPN+PNP
- 集電極最大允許電流Ic:0.1A
- 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:65V
- 功率 - 最大值:380mW
- 頻率 - 躍遷:100MHz
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V
- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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