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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BC846BPDW1T1G PDF資料
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  • 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
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  • 描述:Dual General Purpose Transistors
BC846BPDW1T1G技術(shù)規(guī)格
  • 晶體管類型:NPN,PNP
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 不同?Ib,Ic時(shí)的?Vce飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
  • 電流-集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
  • 功率-最大值:380mW
  • 頻率-躍遷:100MHz
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 封裝形式Package:SOT-363
  • 極性Polarity:NPN+PNP
  • 集電極最大允許電流Ic:0.1A
  • 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:65V
  • 功率 - 最大值:380mW
  • 頻率 - 躍遷:100MHz
  • 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V
  • 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
  • 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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