�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
BC847C-T-0M1
- ��
- SOT23��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


BC847CT116 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM Semiconductor
- PDF�������58.99 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����1�
- �������p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT) NPN 45V 1MA
BC847CT116���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SST-3
- ���w�ܘO��:NPN
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:45 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:50 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:6 V
- ��늘O����O�늉�:0.6 V
- ���ֱ��늼�늘O���:0.1 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:200 MHz
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- ֱ��������� hFE ���ֵ:800
- �߶�:0.95 mm
- �L��:2.9 mm
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ����:1.3 mm
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- ��늘O�B�m(x��)���:0.1 A
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:420
- Pd-���ʺ�ɢ:350 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:Transistors
- �����:30 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BC847C-T-0M1���P(gu��n)��̖