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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BC848CDXV6T1 PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?4.97 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
- 描述:Dual General Purpose Transistors
BC848CDXV6T1技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
- 配置:Dual
- 晶體管極性:NPN
- 集電極—基極電壓 VCBO:30 V
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V
- 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
- 最大直流電集電極電流:0.1 A
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz (Min)
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 商標(biāo):Diodes Incorporated
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:420 at 2 mA at 5 V
- 最小工作溫度:- 55 C
- Pd-功率耗散:500 mW
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