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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

    BC850BLT1(2F)

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

  • BC850BLT1(2F)
  • 西門(mén)子 
  • SOP23-3 
  • 2024+ 
  • 45000 
  • 原裝正品,實(shí)單必成! 

  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • BC850BLT1(2F)
  • 西門(mén)子 
  • SOP23-3 
  • 18+ 
  • 6520 
  • 原裝正品 

  • 深圳市杰宏微電子有限公司

    13

    0755-83165809,8829060013824396652鳳先生0755-88290600深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲二期N1B181號(hào)11010509

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  • ON 
  • N/A 

BC850BLT1G PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
  • PDF文件大?。?37.31 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
  • 描述:General Purpose Transistors
BC850BLT1G技術(shù)規(guī)格
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 不同?Ib,Ic時(shí)的?Vce飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA
  • 電流-集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
  • 功率-最大值:225mW
  • 頻率-躍遷:100MHz
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-23-3(TO-236)
  • 封裝形式Package:SOT-23
  • 極性Polarity:NPN
  • 集電極最大允許電流Ic:0.1A
  • 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:45V
  • 100 MHz:增益帶寬積 fT
  • 最高工作溫度:+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝/外殼:SOT-23-3
  • 系列:BC850BL
  • 品牌:ON Semiconductor
  • 連續(xù)集電極電流:0.1 A
  • 200:直流集電極/增益 hfe 最小值
  • 最大功率消耗:225 mW
  • RoHS:符合 RoHS
  • 最低工作溫度:- 55 C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量:3000
  • 配置:Single
  • 晶體管極性:NPN
  • 集電極-基極電壓VCBO:50 V
  • 集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO:45 V
  • 發(fā)射機(jī)-基極電壓VEBO:6 V
  • 集電極-發(fā)射極飽和電壓:0.6 V
  • 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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