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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BC856BDW1T3G PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?78.77 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共6頁
- 描述:Dual General Purpose Transistors
BC856BDW1T3技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品種類Transistors Bipolar (BJT)
- 晶體管極性PNP
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO65 V
- 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO5 V
- 最大直流電集電極電流0.1 A
- 直流集電極/Base Gain hfe Min150 at 10 uA at 5 V
- 配置Dual
- 最大工作頻率100 MHz
- 最大工作溫度+ 150 C
- 安裝風格SMD/SMT
- 封裝 / 箱體SOT-363
- 封裝Reel
- 集電極連續(xù)電流- 100 mAdc
- 最小工作溫度- 55 C
- 功率耗散380 mW
- 工廠包裝數(shù)量10000
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