�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BC856BW PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
- PDF�ļ���С��273.23 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����8�
- ������PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)
BC856BW���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- ����:Single
- ���w�ܘO��:PNP
- ��늘O�����O늉� VCBO:80 V
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:65 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
- ���ֱ��늼�늘O���:100 mA
- ���控���a(ch��n)ƷfT:250 MHz
- ������ض�:+ 150 C
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-323-3
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:125
- ��С�����ض�:- 65 C
- Pd-���ʺ�ɢ:250 mW
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BC856BW���P(gu��n)��̖(h��o)