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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BCR08PNH6327XTSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：525.68 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：雙極晶體管 - 預偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR08PNH6327XTSA1技術規(guī)格
- 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
- 電阻器-基底（R1）（歐姆）：2.2k
- 電阻器-發(fā)射極基底（R2）（歐姆）：47k
- 不同?Ic，Vce?時的DC電流增益（hFE）（最小值）：70 @ 5mA，5V
- 不同?Ib，Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
- 頻率-躍遷：170MHz
- 功率-最大值：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT363
- 封裝形式Package：SOT-363
- 極性Polarity：NPN+PNP
- 集電極最大允許電流Ic：100mA
- 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：50V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底（R1）：2.2 千歐
- 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）：47 千歐
- 供應商器件封裝：PG-SOT363-6
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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