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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BCR08PNH6327XTSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?25.68 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:雙極晶體管 - 預偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR08PNH6327XTSA1技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電阻器-基底(R1)(歐姆):2.2k
- 電阻器-發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k
- 不同?Ic,Vce?時的DC電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V
- 不同?Ib,Ic時的?Vce飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA
- 頻率-躍遷:170MHz
- 功率-最大值:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT363
- 封裝形式Package:SOT-363
- 極性Polarity:NPN+PNP
- 集電極最大允許電流Ic:100mA
- 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:50V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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BCR08PNH6327XTSA1相關(guān)型號