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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BCR135E6433HTMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?66.12 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR135E6433HTMA1技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 kOhms
- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V
- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 頻率 - 躍遷:150MHz
- 功率 - 最大值:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3
- 晶體管類型:NPN
- 每片芯片元件數(shù)目:1
- 最大集電極-發(fā)射極電壓:50 V
- 典型輸入電阻器:10 k0hms
- 封裝類型:SOT-23
- 引腳數(shù)目:3
- 最小直流電流增益:70
- 最大功率耗散:200 mW
- 晶體管配置:單
- 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓:0.3 V
- 最大發(fā)射極-基極電壓:6 V
- 典型電阻比:0.21
- 長度:2.9mm
- 高度:0.9mm
- 尺寸:2.9 x 1.3 x 0.9mm
- 寬度:1.3mm
- 最高工作溫度:+150 °C
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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