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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BCR166E6327HTSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁(yè)數(shù)：共8頁(yè)
- 描述：雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR166E6327HTSA1技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底（R1）：4.7 kOhms
- 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）：47 kOhms
- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：70 @ 5mA，5V
- 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 頻率 - 躍遷：160MHz
- 功率 - 最大值：200mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT23
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
- 晶體管類型：PNP
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 最大連續(xù)集電極電流：100 mA
- 最大集電極-發(fā)射極電壓：50 V
- 典型輸入電阻器：4.7 k0hms
- 封裝類型：SOT-23
- 引腳數(shù)目：3
- 最小直流電流增益：70
- 最大功率耗散：200 mW
- 晶體管配置：單
- 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓：0.3 V
- 最大發(fā)射極-基極電壓：5 V
- 典型電阻比：0.1
- 長(zhǎng)度：2.9mm
- 高度：0.9mm
- 尺寸：2.9 x 1.3 x 0.9mm
- 寬度：1.3mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
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BCR166E6327HTSA1相關(guān)型號(hào)
