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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BCR183E6327HTSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù):共12頁
- 描述:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR183E6327HTSA1技術(shù)規(guī)格
- 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
- 電阻器-發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k
- 不同?Ic,Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
- 不同?Ib,Ic時(shí)的?Vce飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA
- 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
- 頻率-躍遷:200MHz
- 功率-最大值:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT23
- 封裝形式Package:SOT-23
- 極性Polarity:PNP
- 集電極最大允許電流Ic:100mA
- 集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO:50V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 kOhms
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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BCR183E6327HTSA1相關(guān)型號