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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BGA855N6E6327XTSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:射頻放大器 Low Noise Amplifier
BGA855N6E6327XTSA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:射頻放大器
- RoHS:是
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TSNP-6
- 類型:LNA
- 技術(shù):SiGe
- 工作頻率:1164 MHz to 1300 MHz
- P1dB - 壓縮點:- 14 dBm
- 增益:17.6 dB
- 工作電源電壓:1.1 V to 3.3 V
- NF—噪聲系數(shù):0.6 dB
- 測試頻率:1214 MHz
- OIP3 - 三階截點:1 dBm
- 工作電源電流:4.4 mA
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 85 C
- 系列:BGA855N6
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 商標:Infineon Technologies
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 輸入返回損失:11 dB
- 隔離分貝:22 dB
- Pd-功率耗散:60 mW
- 產(chǎn)品類型:RF Amplifier
- 工廠包裝數(shù)量:12000
- 子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
- 零件號別名:BGA855N6 SP002337750
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