�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BGA855N6E6327XTSA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������287.12 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����13�
- ���������l�Ŵ��� Low Noise Amplifier
BGA855N6E6327XTSA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:���l�Ŵ���
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TSNP-6
- ���:LNA
- ���g(sh��):SiGe
- �����l��:1164 MHz to 1300 MHz
- P1dB - ���s�c(di��n):- 14 dBm
- ����:17.6 dB
- �����Դ늉�:1.1 V to 3.3 V
- NF����ϵ��(sh��):0.6 dB
- �yԇ�l��:1214 MHz
- OIP3 - ���A���c(di��n):1 dBm
- �����Դ���:4.4 mA
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 85 C
- ϵ��:BGA855N6
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ݔ�뷵��?f��)pʧ:11 dB
- ���x��ؐ:22 dB
- Pd-���ʺ�ɢ:60 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:RF Amplifier
- ���S���b��(sh��)��:12000
- ��e:Wireless & RF Integrated Circuits
- ���̖�e��:BGA855N6 SP002337750
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BGA855N6E6327���P(gu��n)��̖