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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSC019N04NS G PDF資料
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- 制造商:Infineon(英飛凌)
- PDF文件大?。?77.99 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 漏源電壓(Vdss):40V 柵源極閾值電壓:4V @ 85uA 漏源導(dǎo)通電阻:1.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 類型:N溝道
BSC019N04NS G技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TDSON-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
- Id-連續(xù)漏極電流:29 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.9 mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:2.5 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:1.27 mm
- 長(zhǎng)度:5.9 mm
- 系列:OptiMOS 3
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.15 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:6.6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:5.6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:22 ns
- 零件號(hào)別名:BSC019N04NSGATMA1 BSC19N4NSGXT SP000388299
- 單位重量:100 mg
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BSC019N04NS G相關(guān)型號(hào)