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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSC026N02KSGAUMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?59.39 Kbytes
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- 描述：MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC026N02KSGAUMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：25A（Ta），100A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 200μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7800pF @ 10V
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.6 毫歐 @ 50A，4.5V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
- 封裝/外殼：PG-TDSON-8
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：100 A
- 最大漏源電壓：20 V
- 最大漏源電阻值：4.5 m0hms
- 最大柵閾值電壓：1.2V
- 最小柵閾值電壓：0.7V
- 最大柵源電壓：-12 V、+12 V
- 封裝類型：TDSON
- 引腳數(shù)目：8
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：2.8 W
- 高度：1.1mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：6.35 x 5.35 x 1.1mm
- 寬度：5.35mm
- 系列：OptiMOS 2
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：40 nC @ 4.5 V
- 典型輸入電容值@Vds：5900 pF @ 10 V
- 典型關(guān)斷延遲時間：52 ns
- 典型接通延遲時間：21 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+150 °C
- 長度：6.35mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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BSC026N02KSGAUMA1相關(guān)型號
